Инженеры компании Samsung презентовали на рынке модуль оперативной памяти DDR5 в ходе форума HotChips 33. Устройство имеет емкость 512 гигабайт и способно обрабатывать данные со скоростью 7,2 гигабита в секунду. Для своей работы оно требует напряжения в архитектуре компьютера всего 1,1 вольт. По словам ведущих айтишников Samsung, инновационный модуль превосходит DDR4 по четырем показателям – производительности, мощности, скорости и емкости.
В корпорации также рассказали, что по сравнению с форматом DDR4, новый блок обеспечивает увеличение производительности на 40%, а скорости – на 120%. Повышенная эффективность шины, которая в ходе лабораторных испытаний показала опережающие показатели на уровне 18% по сравнению с предыдущим модулем, достигается за счет встроенного контроля питания PMIC. Он уменьшает потребность в работе с низким напряжением.
В компании уточнили, в первую очередь, представленная разработка сконструирована для эксплуатации в дата-центрах. В Samsung также заявили, что не собираются останавливаться на достигнутом, и уже в ближайшей перспективе выведут на рынок модули памяти DDR5 емкостью в один терабайт. Корейские новаторы выразили уверенность, что к 2024–2025 году DDR5 станет основным стандартом вычислений.
Недавно стало известно, что инженеры компании ZTE также занимаются решением задач по выпуску гаджетов с расширенным объемом памяти. Так, вскоре они готовы будут представить смартфон с рекордным показателем объема оперативной памяти. Аппарат должен выйти с оперативкой на 20 гигабайт.
Источник фото: fbm.ru
