Новое поколение оперативной памяти должно помочь снизить энергопотребление ОЗУ смартфонов и планшетов примерно на 67 процентов, а также в 10 раз увеличить производительность и объем RAM мобильных вычислительных систем следующего поколения.
Технология динамической памяти с произвольным доступом уже довольно давно является стандартом. Она устраивает производителей ноутбуков и компьютеров. Но для мобильных устройств ее используют исключительно из-за неимения альтернативы.
Попытки создания дешевой и надежной MRAM ведутся уже несколько десятилетий. В основном, силами отдельных компаний. Их идеи до недавнего времени не находили поддержки у IT-сообщества. Но теперь назрела необходимость в смене стандарта мобильной ОЗУ. По этой причине, 20 компаний из Японии и Соединенных Штатов объединились в международный технологический альянс и поставили перед собой важную цель – создание действующей магниторезистивной памяти с произвольным доступом.
В новую организацию вошли такие компании, как Hitachi Ltd. (Япония), Tokyo Electron (Япония), Renesas Electronics (Япония), Micron Technology (США), Tohoku University (Япония), Shin-Etsu Chemical (Япония) и пр. Профессор Tetsuo Endoh указал, что альянс готов принять в свои ряды все европейские и американские технологические компании, которые проявят интерес к созданию мобильной MRAM. Планируется, что все исследовательские работы будут завершены в 2017-м году, а промышленное производство магниторезистивной памяти стартует в 2018-м году.
Если у американско-японского консорциума получится реализовать намеченные планы, на рынке произойдет настоящая революция.
Отдельный проект по созданию MRAM реализуют – Toshiba и SK Hynix. Собственные разработки в этом направлении ведут ученые и инженеры Samsung Electronics.
