Сотрудники МИФИ вырастили высокоэффективную наногетероструктуру из индия для полупроводников

Российские разработчики из НИЯУ МИФИ смогли вырастить наногетероструктуру из индия, обеспечивающую быстродействие электроники. Инновационный метод позволил до минимума сократить механические напряжения в материале.
Инженеры из российского Национального исследовательского ядерного университета МИФИ смогли создать инновационный материал из индия для производства полупроводниковых элементов электронных приборов. При изготовлении наногетероструктуры был использован новый метод послойного наращивания, при котором каждый последующий слой содержал больший процент индия.
Благодаря методу эпитаксии материал получил минимальные рассеивание электронов, шероховатость поверхности и механические напряжения кристаллической решетки. Новый материал обеспечит быстродействие электронной техники. Кроме того, фундаментальное исследование новейшего материала способствовало выявлению особенностей квантового эффекта Холла в наноматериалах.

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

один × два =